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          FDR8308P
        4. 制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
        5. 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-LSOP(0.130,3.30mm 寬)
        6. 技術(shù)參數(shù):MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8
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        9. 參數(shù)詳情:
        10. 制造商產(chǎn)品型號:FDR8308P
        11. 制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)
        12. 描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8
        13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
        14. 產(chǎn)品系列:PowerTrench?
        15. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
        16. FET類型:2 個 P 溝道(雙)
        17. FET功能:邏輯電平門
        18. 漏源電壓(Vdss):20V
        19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):3.2A
        20. 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):50 毫歐 @ 3.2A,4.5V
        21. 不同Id時Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
        22. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):19nC @ 4.5V
        23. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1240pF @ 10V
        24. 功率-最大值:800mW
        25. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
        26. 安裝類型:表面貼裝型
        27. 封裝:8-LSOP(0.130,3.30mm 寬)
        28. FDR8308P的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
        29. 點擊下圖下載技術(shù)文檔
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