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          產(chǎn)品參考圖片
          

          FDMS1D2N03DSD參考圖片
          

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          FDMS1D2N03DSD
          

        3. 制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
          4. 

        4. 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerWDFN
          5. 

        5. 技術參數(shù)：PT11N 30/12 & PT11N 30/12
          6. 

        6. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當天發(fā)貨！）
          7. 

        7. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
          8. 

          參數(shù)詳情：
          

        8. 制造商產(chǎn)品型號：FDMS1D2N03DSD
        9. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）
        10. 描述：PT11N 30/12 & PT11N 30/12
        11. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
        12. 產(chǎn)品系列：PowerTrench?
        13. 零件狀態(tài)：有源
        14. FET類型：2 N 溝道（雙）非對稱型
        15. FET功能：標準
        16. 漏源電壓（Vdss）：30V
        17. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：19A（Ta），70A（Tc），37A（Ta），164A（Tc）
        18. 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：3.25 毫歐 @ 19A，10V，0.97 毫歐 @ 37A，10V
        19. 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 320μA，3V @ 1mA
        20. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：33nC @ 10V，117nC @ 10V
        21. 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1410pF @ 15V，4860pF @ 15V
        22. 功率-最大值：2.1W（Ta），26W（Tc），2.3W（Ta），42W（Tc）
        23. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
        24. 安裝類型：表面貼裝型
        25. 封裝：8-PowerWDFN
        26. FDMS1D2N03DSD的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
          27. 

          

          

          

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