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        2. 

          

          

          ON安森美，安森美半導(dǎo)體，安森美代理商
          

          

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          FDG6301N-F085P供應(yīng)商
          

          

          

          

          

          產(chǎn)品參考圖片
          

          FDG6301N-F085P參考圖片
          

          安森美（ON）產(chǎn)品標(biāo)志
          

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          聯(lián)系方式
          

          

          

          

          FDG6301N-F085P
          

        3. 制造廠(chǎng)商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
          4. 

        4. 類(lèi)別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
          5. 

        5. 技術(shù)參數(shù)：DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM
          6. 

        6. （專(zhuān)注銷(xiāo)售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨！）
          7. 

        7. （您可通過(guò)電話(huà)、微信、QQ或郵件與銷(xiāo)售代表聯(lián)系詢(xún)價(jià)及采購(gòu)）
          8. 

          參數(shù)詳情：
          

        8. 制造商產(chǎn)品型號(hào)：FDG6301N-F085P
        9. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
        10. 描述：DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM
        11. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
        12. 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101
        13. 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
        14. FET類(lèi)型：2 N-通道（雙）
        15. FET功能：邏輯電平門(mén)
        16. 漏源電壓（Vdss）：25V
        17. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：220mA（Ta）
        18. 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：4 歐姆 @ 220mA，4.5V
        19. 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
        20. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：0.4nC @ 4.5V
        21. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：9.5pF @ 10V
        22. 功率-最大值：300mW
        23. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
        24. 安裝類(lèi)型：表面貼裝型
        25. 封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
        26. FDG6301N-F085P的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷(xiāo)售代表確認(rèn)。
          27. 

          

          

          

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