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          FDD4N60NZ
          

        3. 制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
          4. 

        4. 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：DPAK
          5. 

        5. 技術參數：MOSFET N-CH 600V 3.4A DPAK
          6. 

        6. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現貨當天發(fā)貨！）
          7. 

        7. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
          8. 

          參數詳情：
          

        8. 制造商產品型號：FDD4N60NZ
        9. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）
        10. 描述：MOSFET N-CH 600V 3.4A DPAK
        11. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
        12. 產品系列：UniFET-II?
        13. 零件狀態(tài)：有源
        14. FET類型：N 通道
        15. 技術：MOSFET（金屬氧化物）
        16. 漏源電壓（Vdss）：600V
        17. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：3.4A（Tc）
        18. 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
        19. 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：2.5 歐姆 @ 1.7A，10V
        20. 不同Id時Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
        21. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：10.8nC @ 10V
        22. Vgs（最大值）：±25V
        23. 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：510pF @ 25V
        24. FET功能：-
        25. 功率耗散（最大值）：114W（Tc）
        26. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
        27. 安裝類型：表面貼裝型
        28. 器件封裝：DPAK
        29. FDD4N60NZ的訂貨細節(jié)及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
          30. 

          

          

          

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