FDC6392S
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:SuperSOT?-6
技術參數(shù):MOSFET P-CH 20V 2.2A SUPERSOT6
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參數(shù)詳情:
制造商產品型號:FDC6392S制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A SUPERSOT6系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個產品系列:PowerTrench?零件狀態(tài):停產FET類型:P 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):20V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):2.2A(Ta)驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,4.5V不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):150 毫歐 @ 2.2A,4.5V不同Id時Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):5.2nC @ 4.5VVgs(最大值):±12V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):369pF @ 10VFET功能:肖特基二極管(隔離式)功率耗散(最大值):960mW(Ta)工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型器件封裝:SuperSOT?-6FDC6392S的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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