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          FDB8878
          

        3. 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
          4. 

        4. 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：TO-263
          5. 

        5. 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 48A TO263
          6. 

        6. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨！）
          7. 

        7. （您可通過(guò)電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購(gòu)）
          8. 

          參數(shù)詳情：
          

        8. 制造商產(chǎn)品型號(hào)：FDB8878
        9. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
        10. 描述：MOSFET N-CH 30V 48A TO263
        11. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
        12. 產(chǎn)品系列：PowerTrench?
        13. 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
        14. FET類型：N 通道
        15. 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
        16. 漏源電壓（Vdss）：30V
        17. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：48A（Tc）
        18. 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
        19. 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：14 毫歐 @ 40A，10V
        20. 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
        21. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：23nC @ 10V
        22. Vgs（最大值）：±20V
        23. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1235pF @ 15V
        24. FET功能：-
        25. 功率耗散（最大值）：47.3W（Tc）
        26. 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
        27. 安裝類型：表面貼裝型
        28. 器件封裝：TO-263
        29. FDB8878的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
          30. 

          

          

          

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