CAT5113VI-10-T3
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器,產(chǎn)品封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
技術(shù)參數(shù):IC DGTL POT 10KOHM 100TAP 8SOIC
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:CAT5113VI-10-T3制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:IC DGTL POT 10KOHM 100TAP 8SOIC產(chǎn)品系列:數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器包裝:卷帶(TR),剪切帶(CT)系列:-零件狀態(tài):停產(chǎn)圓錐:線性配置:電位計電路數(shù):1抽頭數(shù):100電阻(歐姆):10k接口:上/下(U/D,INC,CS)存儲器類型:非易失電壓-供電:2.5V ~ 6V特性:-容差:±20%溫度系數(shù)(典型值):300ppm/°C安裝類型:表面貼裝型供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC產(chǎn)品封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)工作溫度:-40°C ~ 85°CCAT5113VI-10-T3的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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