IGBT 和 FET

IGBT – N溝道MOSFET – P溝道MOSFET

安森美半導(dǎo)體提供絕緣門雙極晶體管(IGBT)，結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)，N溝道、P溝道及互補型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)及自保護(hù)MOSFET。

絕緣門雙極晶體管 (IGBT) (42)

參數(shù)表

絕緣門雙極晶體管(IGBT)

安森美半導(dǎo)體提供絕緣門雙極晶體管(IGBT)，用于電子點火、閃光、電機(jī)驅(qū)動及其它大電流開關(guān)應(yīng)用。

技術(shù)文檔及設(shè)計資源

培訓(xùn)教材 (1) 參考手冊 (1)

應(yīng)用注釋 (16) 數(shù)據(jù)表 (48)

仿真模型 (20) 封裝圖紙 (5)

JFETs (30)

參數(shù)表

N溝道和P溝道結(jié)場效應(yīng)管(JFET)

安森美半導(dǎo)體提供結(jié)場效應(yīng)管(JFET)，用于射頻(RF)、混頻和斬波電路。

技術(shù)文檔及設(shè)計資源

仿真模型 (45) 封裝圖紙 (2)

數(shù)據(jù)表 (44)  

MOSFETs (544)

參數(shù)表

N溝道、P溝道和互補MOSFET

安森美半導(dǎo)體提供N溝道和P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)，用于電源轉(zhuǎn)換和開關(guān)電路。

新產(chǎn)品介紹: MOSFETs (4)

技術(shù)文檔及設(shè)計資源

設(shè)計及開發(fā)工具 (5) 數(shù)據(jù)表 (742)

設(shè)計注釋 (1) 封裝圖紙 (58)

應(yīng)用注釋 (44) 評估板文檔 (21)

仿真模型 (1665) 評估板 (5)

保護(hù) MOSFETs (17)

參數(shù)表

SMARTDISCRETES

安森美半導(dǎo)體提供自我保護(hù)MOSFET，可能包含限流、限溫、ESD保護(hù)或電流鏡。